Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:
Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT
На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:
- как употребляется слово
- частота употребления
- используется оно чаще в устной или письменной речи
- варианты перевода слова
- примеры употребления (несколько фраз с переводом)
- этимология
SIS diode - перевод на Английский
WIKIMEDIA DISAMBIGUATION PAGE
SIS; SiS; SIS (disambiguation); Sis (disambiguation)
SIS diode
![Energy diagram of a superconducting tunnel junction. The vertical axis is energy, and the horizontal axis shows the [[density of states]]. [[Cooper pairs]] exist at the [[Fermi energy]], indicated by the dashed lines. A bias voltage V is applied across the junction, shifting the Fermi energies of the two superconductors relative to each other by an energy eV, where e is the [[electron]] charge. [[Quasiparticle]] states exist for energies greater than Δ from the Fermi energy, where Δ is the superconducting energy gap. Green and blue indicate empty and filled quasiparticle states, respectively, at zero temperature.](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/STJ Energy Diagram.svg?width=200 "Energy diagram of a superconducting tunnel junction. The vertical axis is energy, and the horizontal axis shows the [[density of states]]. [[Cooper pairs]] exist at the [[Fermi energy]], indicated by the dashed lines. A bias voltage V is applied across the junction, shifting the Fermi energies of the two superconductors relative to each other by an energy eV, where e is the [[electron]] charge. [[Quasiparticle]] states exist for energies greater than Δ from the Fermi energy, where Δ is the superconducting energy gap. Green and blue indicate empty and filled quasiparticle states, respectively, at zero temperature.")
![Sketch of the current-voltage (I-V) curve of a superconducting tunnel junction. The [[Cooper pair]] tunneling current is seen at V = 0, while the [[quasiparticle]] tunneling current is seen for V > 2Δ/e and V < -2Δ/e.](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/STJ IV Curve.jpg?width=200 "Sketch of the current-voltage (I-V) curve of a superconducting tunnel junction. The [[Cooper pair]] tunneling current is seen at V = 0, while the [[quasiparticle]] tunneling current is seen for V > 2Δ/e and V < -2Δ/e.")
ELECTRONIC DEVICE CONSISTING OF TWO SUPERCONDUCTORS SEPARATED BY A VERY THIN LAYER OF INSULATING MATERIAL
User:Mwengler/Superconductor-Insulator-Superconductor; Superconductor-Isolator-Superconductor; Superconductor-Insulator-Superconductor; Superconductor-insulator-superconductor junction; SIS tunnel junction; Superconductor-insulator-superconductor; Superconducting tunnel junction detector; Superconducting tunnel junction detectors; Superconductor-insulator-superconductor tunnel junction; Superconducting tunnel junctions; Superconductor–insulator–superconductor junction; Superconductor–insulator–superconductor; Superconductor/insulator/superconductor; Superconductor insulator superconductor; Superconductor–Insulator–Superconductor; Superconductor/Insulator/Superconductor; Superconductor Insulator Superconductor; Superconductor–insulator–insulator–superconductor; Superconductor/insulator/insulator/superconductor; Superconductor insulator insulator superconductor; Superconductor–Insulator–Insulator–Superconductor; Superconductor/Insulator/Insulator/Superconductor; Superconductor Insulator Insulator Superconductor; SIIS; SIS (diode); SIS diode; Superconductor-insulator-insulator-superconductor; Superconductor-Insulator-Insulator-Superconductor
общая лексика
диод со структурой полупроводник-диэлектрик-полупроводник
сокращение
semiconductor-insulator-semiconductor diode
SIS
[,es,aɪ'es]
сокращение
от Secret Intelligence Service
Sis
[sis]
существительное
общая лексика
Сис (женское имя)
Определение
Светоизлучающий диод
светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.
Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.
Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.
Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.
П. Г. Елисеев.
